Samsung Electronics официально прекратила приём новых заказов на мобильную DRAM стандартов LPDDR4 и LPDDR4X: оба продукта, находившиеся в массовом производстве более десяти лет, подошли к концу своего жизненного цикла (EOL). Переоснащение соответствующих производственных линий ожидается в I квартале 2027 года — это ускорит переход Samsung к более современным технологиям.
Спотовая цена на 16-гигабитный чип DDR5 за последний месяц сократилась примерно на 5 % до $74,10, и это первое месячное снижение с февраля 2025 года — годом ранее этот чип стоил $3,20, то есть к настоящему моменту он подорожал на 2200 %, обращает внимание DigiTimes.
28.06.2016 13:08Полных данных о модельном ряде нет, но точно известно, что в него войдёт модель ёмкостью 500 Гбайт. Скорее всего, также будут выпущены версии объёмами 250 Гбайт и 1 Тбайт.
Так выглядит продажная версия Ballistix TX3
Новинка, как это сейчас модно, будет использовать интерфейс PCI Express x4 3.0 и выпускаться в форм-факторе M.2. Благодаря поддержке протокола NVMe она обеспечит лучшие показатели производительности при случайных операциях, нежели лучшие представители SSD, использующие протокол AHCI. Но самое главное, что Ballistix TX3 будет использовать память типа 3D MLC NAND, а значит, сможет похвастаться не только производительностью, но и высоким ресурсом вкупе с надёжностью.
Испытания прототипа ёмкостью 500 Гбайт
Как сообщают источники, линейная скорость чтения у Ballistix TX3 будет достигать внушительных 2,4 Гбайт/с, линейная скорость записи окажется несколько скромнее — в районе 1 Гбайт/с. В новом накопителе будет реализована характерная для решений Crucial фирменная технология повышения отказоустойчивости RAIN, о которой мы рассказывали в обзоре популярного SSD Crucial MX200. В том случае, если системная плата обладает двумя полноценными слотами M.2, два Ballistix TX3 могут быть объединены в массив RAID0 для достижения ещё более высокой производительности.
Источник: 3DNews