Более 30 лет архиватор WinRAR работает по модели добровольной оплаты. На этой неделе разработчик этого продукта Евгений Рошал рассказал журналистам РБК о причинах выбора такой схемы, как компания обходится без внешних инвестиций и как появилась иконка с тремя книгами.
На выставке Computex 2026 компания AMD представила EXPO Ultra Low Latency — обновлённые профили разгона ОЗУ для систем на базе Ryzen. Компания заявила, что новые профили могут улучшить игровую производительность в среднем на 4 % по сравнению со стандартными профилями EXPO. AMD также предположила, что модули памяти с поддержкой EXPO ULL не должны стоить значительно дороже существующих модулей EXPO. Однако первые розничные предложения G.Skill показывают другую картину.
26.06.2019 15:58
Представители компании из Южной Кореи напоминают, что ранее уже велось производство флэш-памяти плотностью 1 Тбит, но тогда речь шла о QLC NAND, а не о TCL 4D NAND. Основным достоинством нового типа памяти стала увеличенная плотность компоновки, которая обеспечивается через вертикальную интеграцию периферийных цепей и ячеек памяти.
SK Hynix отмечает, что за счет оптимизации процессов при переходе с 96-слойной памяти на производство 128-слойной инвестиционные издержки уменьшились на 60%. Информационная емкость на пластину выросла на 40%.
Южнокорейская компания намерена начать поставки памяти 4D NAND во второй половине текущего года. Ожидается, что благодаря низкому уровню энергопотребления и высокой скорости память можно будет применять и в мобильных девайсах, и в твердотельных накопителях корпоративного сегмента.
В середине следующего года южнокорейский производитель намеревается представить модуль UFS 3.1 вместимостью 1 Тб с прицелом на смартфоны флагманского уровня. Также в течение первых шести месяцев 2020 года в планах SK Hynix запустить серийное производство твердотельных накопителей емкостью 2 Тб с ПО и контролером собственного производства. В будущем их объем может вырасти до 32 Тб. Такие SSD-накопители будут ориентированы на облачные дата-центры.
В завершение добавим, что производитель из Южной Кореи ведет работу над созданием 176-слойной памяти NAND нового поколения.
Источник: Overclockers