Новости Все новости

Компания ASRock сообщила, что её материнская плата Z890I Nova WiFi R2.0 теперь поддерживает память CQDIMM, что позволяет системе использовать до 256 Гбайт ОЗУ DDR5 со скоростью 7400 МТ/с. Проверку совместимости плата прошла с двумя модулями Kingston объёмом 128 Гбайт каждый.

 Источник изображений: ASRock

Intel воспользовалась выставкой MWC 2026 для предварительного показа серверных процессоров Intel Xeon 6+ (Clearwater Forest). Компания описывает их как следующий шаг в дорожной карте Xeon 6 для сетевой и облачной инфраструктуры с поддержкой ИИ. Производитель также показал вживую данные процессоры.

SK Hynix запускает серийное производство 128-слойной памяти 4D NAND

« Назад

26.06.2019 15:58

Представители компании из Южной Кореи напоминают, что ранее уже велось производство флэш-памяти плотностью 1 Тбит, но тогда речь шла о QLC NAND, а не о TCL 4D NAND. Основным достоинством нового типа памяти стала увеличенная плотность компоновки, которая обеспечивается через вертикальную интеграцию периферийных цепей и ячеек памяти.

SK Hynix отмечает, что за счет оптимизации процессов при переходе с 96-слойной памяти на производство 128-слойной инвестиционные издержки уменьшились на 60%. Информационная емкость на пластину выросла на 40%.

Южнокорейская компания намерена начать поставки памяти 4D NAND во второй половине текущего года. Ожидается, что благодаря низкому уровню энергопотребления и высокой скорости память можно будет применять и в мобильных девайсах, и в твердотельных накопителях корпоративного сегмента.

В середине следующего года южнокорейский производитель намеревается представить модуль UFS 3.1 вместимостью 1 Тб с прицелом на смартфоны флагманского уровня. Также в течение первых шести месяцев 2020 года в планах SK Hynix запустить серийное производство твердотельных накопителей емкостью 2 Тб с ПО и контролером собственного производства. В будущем их объем может вырасти до 32 Тб. Такие SSD-накопители будут ориентированы на облачные дата-центры.

В завершение добавим, что производитель из Южной Кореи ведет работу над созданием 176-слойной памяти NAND нового поколения.

 

Источник: Overclockers