Samsung представила твердотельные накопители на чипах нового поколения

« Назад

07.08.2019 06:40

Эти накопители должны стать самыми быстрыми по скорости передачи данных и обойти ограничения памяти 3D NAND. Впервые в рамках одного чипа применяется более 100 слоёв, что должно повысить скорость и эффективность передачи данных.


Время передачи данных в операциях записи составляет 450 микросекунд, при чтении меньше 45 микросекунд. По сравнению с прежним поколением накопителей производительность выросла на 10%. Энергопотребление при этом уменьшено на 15%, а эффективность промышленного производства выросла на 20%.

 

В августе прошлого года Samsung начала промышленное производство первых 4-битных накопителей QLC SSD для потребительских компьютеров. Тогда компания заявляла, что новые чипы памяти сделают твердотельные накопители объёмом в терабайты повсеместно распространёнными. С тех пор подобных накопителей в продаже появляется всё больше. Теперь новая память 3D V-NAND должна войти в состав мобильных устройств нового поколения и серверов, а также выйти на автомобильный рынок, где высокая надёжность жизненно важна.

 

Источник: Overclockers.ru