Новости Все новости

Процессоры Arrow Lake для ПК, которые Intel выпустит в 2024 году, улучшат характеристики в том числе благодаря новой технологии подачи напряжения на полупроводниковый кристалл с его обратной стороны. Компания протестировала технологию, и подтвердила, что она позволяет увеличить частоты, снизить падение напряжения и поднять плотность транзисторов.

 

 Источник изображений: Intel

Samsung покажет первые решения с новой памятью MRAM уже в следующем месяце

« Назад

26.04.2017 15:58

По заявлению компаний, MRAM в 100 000 раз быстрее памяти NAND и при этом не имеет ограничения по количеству перезаписей. MRAM — это магниторезистивная оперативная память, которая, несмотря на название, может использоваться вместо памяти NAND.
Память Samsung MRAM начнёт использоваться в серийных продуктах в следующем году

Подробнее о новой памяти должны рассказать во время мероприятия Samsung Foundry Forum Event, которое пройдёт 24 мая. Там же могут представить первые продукты, использующие MRAM. К примеру, источник говорит о том, что одно из подразделений Samsung уже располагает прототипом некой однокристальной системы с интегрированной памятью MRAM.

Что касается коммерциализации технологии, первым клиентом Samsung стала компания NXP. Однокристальные системы семейства i.MX, предназначенные для устройств сегмента интернета вещей, а также некоторые микроконтроллеры NXP уже со следующего поколения получат интегрированную память MRAM.

Источник: 3DNews