Согласно устоявшейся традиции, Samsung не раскрывает точные нормы производства чипов памяти в новом поколении. Кодовое обозначение данного техпроцесса ― D1x. Отметим, сканеры EUV с длиной волны 13,5 нм используются только для небольшой части производственных операций. Полностью перевести выпуск памяти поколения D1x на проекцию со сверхжёстким излучением компания планирует в следующем году. Такая память получит обозначение D1a.

Использование в производстве сканеров EUV позволяет ощутимо сократить число повторяющихся шагов. Теперь вместо нескольких фотошаблонов и, соответственно, нескольких проходов лучом сканера по кремниевой подложке достаточно будет одного или двух фотошаблонов и одного–двух проходов. Это экономия ресурсов и времени, что выльется в снижение себестоимости памяти. По словам Samsung, благодаря сканерам EUV продуктивность производства памяти D1x при обработке 300-мм кремниевых пластин увеличилась в два раза. Это означает, что со временем себестоимость производства памяти также снизится примерно в два раза.

В следующем году с использованием техпроцесса D1a с применением сканеров EUV компания Samsung собирается начать масштабное производство памяти DDR5 и LPDDR5. Для нового стандарта памяти себестоимость имеет большое значение. Также для расширения выпуска памяти с использованием сканеров EUV компания планирует запустить на заводе в Пхёнтхэк (Республика Корея) вторую производственную линию, что произойдёт во второй половине текущего года.

Источник: 3DNews