Samsung начала производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND

« Назад

04.09.2015 05:55

Samsung 48-слойная 3D V-NAND


В третьем поколении многоуровневой памяти 3D V-NAND применяется трехмерная структура ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF). За счет увеличения числа слоев производителю удалось разместить на одном кристалле свыше 85,3 млрд ячеек, в каждой из которых может храниться 3 бита информации. Это позволило удвоить емкость микросхем. Новое решение также обеспечивает 40% прирост производительности и потребляет на 30% меньше энергии, чем 32-слойные чипы предыдущего поколения.

В Samsung уверены, что представленные чипы помогут увеличить продажи SSD-накопителей корпоративного класса и устройств для центров обработки данных. Недавно производитель также выпустил потребительские модели серий 850 PRO и 850 EVO объемом целых 2 Тбайт.
 

Ранее редакторы THG.ru сравнили твердотельный накопитель Samsung SM951-NVMe с AHCI-версией и моделью серии 850 Pro, оснащенной интерфейсом SATA. Samsung SM951-NVMe может стать самым быстрым SSD 2015 года. Низкая задержка обеспечивает очень высокую скорость в рамках настольного ПК, а высокая пропускная способность позволяет переносить большие файлы как никогда быстро. Подробнее об этом читайте в статье "Samsung SM951-NVMe против AHCI и 850 Pro SATA"


Источник: THG