Специалисты Google Research совместно с исследователями из кампуса HHMI Janelia впервые полностью составили цифровую карту головного мозга и центральной нервной системы взрослой плодовой мушки (Drosophila). Для переноса всех деталей учёные применили алгоритмы искусственного интеллекта, который объединил миллионы двумерных снимков в единую 3D-структуру. А инженер заставил эту модель играть в Doom.
Компания AMD показала на выставке IFA 2026 в Берлине рабочую станцию Threadripper Halo Station, оснащённую мощным процессором Ryzen Threadripper PRO и двумя специализированными графическими ускорителями Instinct. Новинку продемонстрировал Джек Хюинь (Jack Huynh), глава подразделения вычислительной техники и графики AMD. Он назвал эту систему самой мощной рабочей станцией на рынке.
19.10.2023 06:05Компания Samsung приступила к поставкам опытных образцов микросхем высокопроизводительной памяти HBM3E пятого поколения с кодовым названием Shinebolt, сообщает южнокорейское издание Business Korea. На фоне продолжающегося роста спроса на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для задач, связанных с искусственным интеллектом, данный вид памяти становится более актуальным по сравнению с обычной DRAM.
По словам производителя, новые чипы памяти HBM3E предлагают возросшую примерно на 50 % пропускную способность по сравнению с решениями Samsung предыдущего поколения. Опытные образцы Samsung обладают восьмиярусной компоновкой из 24-гигабитных микросхем. Сообщается, что производитель также завершает разработку 12-ярусных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.
Первые тесты показывают, что память Samsung HBM3E с кодовым именем Shinebolt обеспечивает пропускную способность на уровне 1,228 Тбайт/с, что выше показателя тех же чипов HBM3E от компании SK hynix, являющейся лидером в данной области.
Для производства памяти HBM компания Samsung последовательно применяет метод с использованием термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В свою очередь SK hynix для производства своих микросхем памяти HBM использует более передовой подход Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющий собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки.
По данным Business Korea, Samsung также продолжает исследовать более передовые процессы сборки стеков памяти HBM с использованием гибридной спайки.
Источник 3DNews