Новости Все новости

Инвесторы в ожидании публикации квартального и годовых отчётов AMD вполне предсказуемо ориентировались на успехи конкурирующей Nvidia в сегменте ускорителей вычислений для систем ИИ. Из-за этого умеренные прогнозы руководства AMD на этот год в данной сфере в сочетании с относительно скромной выручкой минувшего квартала вызвали разочарование и привели к снижению курса акций компании после закрытия торгов почти на 9 %.

 Источник изображений: AMD

Лишившаяся в начале декабря генерального директора корпорация Intel явно нуждалась в хороших новостях по итогам квартального отчёта, и её акции после закрытия торгов выросли в цене на 3,6 %, поскольку квартальная выручка оказалась выше ожиданий, а слабый прогноз на текущий квартал не смог огорчить инвесторов.

 Источник изображений: Intel

Samsung начала поставки образцов 24-Гбит чипов HBM3E с пропускной способностью 1,228 Тбайт/с

« Назад

19.10.2023 06:05

Компания Samsung приступила к поставкам опытных образцов микросхем высокопроизводительной памяти HBM3E пятого поколения с кодовым названием Shinebolt, сообщает южнокорейское издание Business Korea. На фоне продолжающегося роста спроса на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для задач, связанных с искусственным интеллектом, данный вид памяти становится более актуальным по сравнению с обычной DRAM.

 Источник изображения: Wccftech

 

По словам производителя, новые чипы памяти HBM3E предлагают возросшую примерно на 50 % пропускную способность по сравнению с решениями Samsung предыдущего поколения. Опытные образцы Samsung обладают восьмиярусной компоновкой из 24-гигабитных микросхем. Сообщается, что производитель также завершает разработку 12-ярусных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Первые тесты показывают, что память Samsung HBM3E с кодовым именем Shinebolt обеспечивает пропускную способность на уровне 1,228 Тбайт/с, что выше показателя тех же чипов HBM3E от компании SK hynix, являющейся лидером в данной области.

Для производства памяти HBM компания Samsung последовательно применяет метод с использованием термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В свою очередь SK hynix для производства своих микросхем памяти HBM использует более передовой подход Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющий собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки.

По данным Business Korea, Samsung также продолжает исследовать более передовые процессы сборки стеков памяти HBM с использованием гибридной спайки.

 

 

Источник 3DNews