Как известно, сейчас на рынке существует три основных типа флеш-памяти NAND - SLC, MLC и TLC. Также Samsung ещё в прошлом году выпустила на рынок 3D V-NAND, которая хотя и отличается компоновкой, архитектурно работает по тем же принципам. QLC (она же) является логическим развитием NAND и её ячейки способны иметь 16 уровней заряда, иначе говоря, хранить 4 бита данных.

В принципе, подобная новость вполне согласуется с давно уже блуждающими слухами о существовании даже рабочих образцов твердотельных накопителей, проблема заключается только лишь в невысоком уровне ресурса оных при "тонких" техпроцессах (а использование более старых техпроцессов не имеет смысла - разница в себестоимости нивелируется). Однако помочь решить эту проблему должно следование по тому же пути, по которому пошла Samsung: использование "грубых" техпроцессов порядка 40 нм и вертикальная компоновка слоёв. Благо альянс Intel и Micron на днях анонсировал свою версию 3D V-NAND.

Отличительная её особенность - возможность размещения на одном кристалле от 256 Гбит данных (MLC) до 384 Гбит (TLC), что в разы больше, чем предлагает Samsung и альянс Toshiba-SanDisk.

Поставка опытных образцов MLC NAND с плотностью 256 Гбит на кристалл, выполненной с применением 50-нм техпроцесса, уже началась. Ближе к осени также начнётся рассылка образцов и 384 Гбит TLC 3D V-NAND. Так что вполне возможно, что QLC NAND мы тоже скоро увидим.

Источник: http://www.overclockers.ru