Intel выпустила первые SSD для шины PCIe на базе 3D NAND

« Назад

06.04.2016 06:20

Что касается конкретной реализации 3D NAND от Intel, то производитель считает свои чипы наиболее плотными по сравнению с продуктами конкурента. Samsung в текущем поколении производит 48-слойные чипы (3D V-NAND, в терминологии компании) емкостью 256 Гбит по техпроцессу 40 нм. Для продукции Intel пока известно лишь количество слов в стеке — 32, но размер транзистора, очевидно, должен быть более крупным, чем 20 нм, характеризующие однослойную память NAND, которую ныне поставляет IMFT.

На базе 3D NAND Intel выпустила две серии накопителей различного назначения: Intel SSD DС P3320/P3520 и DC D3600/D3700. Первые два комплектуются чипами, работающими в режиме TCL и по своим спецификациям устройства уступают младшей линейке SSD от Intel для ЦОД на основе плоской NAND — DC P3500. Так что, вероятно, Intel предложит их по более низкой цене, как только накопители поступят в продажу. Intel рассматривает новые продукты как решение для замены SSD с интерфейсом SATA в задачах, способных освоить возросшую производительность, но не требующих экстремального быстродействия, доступного старшим решениям.

 

 

 

Intel SSD DC D3600/D3700 комплектуется памятью 3D NAND типа MLC, и относятся к высшему классу среди серверных накопителей Intel, хотя по сравнению с ранее представленными сериями DC P3600/P3700 новинки имеют как свои преимущества, так и недостатки. D3600 опережает P3600 по скорости произвольного доступа, но уступает в последовательном доступе. D3700 лучше, чем P3700 только в части произвольного чтения, но имеет несколько худшие показатели в остальных измерениях. Отличительной особенностью этих двух новинок является одновременное подключение к двум хост-контроллерам, которое впервые встречается в SSD от Intel, но является стандартной опцией для накопителей с интерфейсом SAS.

Вооружившись новыми накопителями на базе 3D NAND, Intel вступила на рынок, победа на котором не достанется легко, ведь Samsung, ставший пионером в области многослойной энергонезависимой памяти, не планирует останавливаться на достигнутом технологическом уровне, и Toshiba вместе с SanDisk также обещают в обозримом будущем присоединиться к гонке. На данный момент 3D NAND не обеспечила Intel абсолютного прорыва в производительности по сравнению с предыдущими продуктами, хотя  SSD DC D3600/D3700 уже продемонстрировали, что применение 3D NAND позволяет снизить латентность доступа к данным по сравнению с плоской памятью. Впрочем, на данный момент это еще очень молодая технология, главные достижения которой еще впереди.
Источник: 3Dnews